
Tranzystor IRF 640N N-MOSFET w obudowie TO220 : 18A, 200V, 150W, 0.15Ω, IRF640N
Tranzystor IRF640N MOSFET TO-220
UWAGA: To nie jest malowanka!
Oferowany typ: Tranzystor IRF 640 N
Cechy:
- Max moc (PO): 150W
- Polaryzacja: : n-ch - FET z kanałem typu n
- napięcie zasilania VDGR: 200V
- prąd ID: 18A
- rds: 0,15 ohm
- Obudowa: TO220
Tranzystor IRF 640N N-MOSFET w obudowie TO220 : 18A, 200V, 150W, 0.15Ω, IRF640N